Спец курс(Системы ведения проекта)/Лабораторные задания/mediawiki/exmpl
Материал из Wiki
Содержание |
картинка
- Придется запомнить перечень горячих клавиш
- В будущем облегчит жизнь
| Действие | Hot key | Действие | Hot key |
|---|---|---|---|
| command mode | Alt-X | open file | Ctrl-X Ctrl-F |
| insert file | Ctrl-Xi | save file | Ctrl-X Ctrl-S |
| save as file | Ctrl-X Ctrl-W name | close file | Ctrl-XK |
| change buffer | Ctrl-XB | undo | Ctrl-XU, Ctrl-_ |
| redo | Ctrl-^ | exit | Ctrl-X Ctrl-C |
| word left | Alt-B | word right | Alt-F |
| start of line | Ctrl-A | end of line | Ctrl-E |
| page up | Alt-V | page down | Ctrl-V |
| start of buffer | Alt-< | end of buffer | Alt-> |
| line n | Alt-G n. | word left | Alt-DEL |
| word right | Alt-D | end of line | Ctrl-K |
| line | Ctrl-A Ctrl-K | search | Ctrl-S text |
| replace | Alt-% | start selection | Ctrl-SPACE |
| cut | Ctrl-W | copy | Alt-W |
| paste | Ctrl-Y | shell | M-x shell |
links
Formule
код
#include "iostream.h"module scoreboard(input bit Y, A, B); reg Y_sb, truth_table[2][2]; initial begin truth_table[0][0] = 0; truth_table[0][1] = 0; truth_table[1][0] = 0; truth_table[1][1] = 1; end always @(A or B) begin Y_sb = truth_table[A][B]; #2 $display(“@%4t - %b%b : Y_sb=%b, Y=%b (%0s)”, $time, A, B, Y_sb, Y, ((Y_sb == Y) ? “Match” : “Mis-match”)); end endmodule
Граф
sh: dot: not found
Таблица
Перечень элементной базы, предельно-допустимые режимы работы
| Элемент | Имя модели | Имя электрического символа из BMS_LIB | Рабочий режим |
|---|---|---|---|
| 3.3В LV NМОП низковольтный транзистор | mn | nmos | (VGS, VDS, VGD) <3.6B |
| 3.3В LV PМОП низковольтный транзистор | mp | pmos | (VGS, VDS, VGD) <3.6B |
| 15,5В HV NМОП высоковольтный транзистор | mnh | nmos | (VGS, VDS, VGD) <15B |
| 15,5В HV ZМОП высоковольтный транзистор | mnz | nmos | (VGS, VDS, VGD) <6B |
| 16В REAL HV PМОП высоковольтный транзистор | mpr | pmos | (VGS, VDS, VGD) <15B |
| 5В QUASI HV PМОП транзистор | mpq | pmos | (VGS, VDS, VGD) <9B |
| Диод P+N-карман | dp | dp | Uпроб≥7 |
| Диод N+P-карман | dn | dn | Uпроб≥7 |
| Диод N+P-подложка | dnh | dn | Uпроб≥16 |
| Диод P+N-карман высоковольтный | dph | dp | Uпроб≥16 |
| Резистор N-карман | rnw | rn | max. V=16B |
| Резистор N+ диффузионный без силицида | rna | rn | max. V=6B |
| Резистор N+ диффузионный с силицидом | rnas | rn | max. V=6B |
| Резистор P+ диффузионный без силицида | rpa | rp | max. V=6B |
| Резистор P+ диффузионный с силицидом | rpas | rp | max. V=6B |
| Резистор ПКК1, легированный N+стоками без силицида | rnp | r | max. V=16B |
| Резистор ПКК1, легированный N+стоками с силицидом | rnps | r | max. V=16B |
| Резистор ПКК2 n-типа без силицида | rp2 | r | max. V=16B |
| Резистор ПКК2 n-типа с силицидом | rp2s | r | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК1-ПКК2 | cpoly | c | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК1-N+сток первый | cn1 | cn | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм) | cph | cp | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК1 на Р- подложке ( ПЗО 25 нм) на инверсии | cphi | cp | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм) | cnh | cn | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК1 на N- кармане ( ПЗО 25 нм) на инверсии | cnhi | cn | max. V=16B |
| Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм) | cp | cp | max. V=3.6B |
| Конденсатор ПКК2 на Р- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии | cpi | cp | max. V=3.6B |
| Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм) | cn | cn | max. V=3.6B |
| Конденсатор ПКК2 на N- кармане ( ПЗО 7 нм) на инверсии | cni | cn | max. V=3.6B |